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1SS403,H3F Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 200V 100MA USC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 100mA
Supplier Device Package USC
Reverse Recovery Time (trr) 60ns
Package / Case SC-76, SOD-323
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F 3pF @ 0V, 1MHz
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction 125°C (Max)
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 100mA
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Otros incluyen   "1SS40"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
1SS400 Original CIs Calientes Especializados 945751
1SS400 A Original CIs Calientes Especializados 2460
1SS400 FJTE61 ROHM CIs Calientes Especializados 41100
1SS400 FTE61 ROHM CIs Calientes Especializados 2745
1SS400 G TE61 ROHM CIs Calientes Especializados 15212
1SS400 G TE61 IC LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 15380
1SS400 IC ZXV CIs Calientes Especializados 3466
1SS400 RJG TSC (Taiwan Semiconductor) Diodos - Rectificadores - Individual 0
1SS400 RKG TSC (Taiwan Semiconductor) Diodos - Rectificadores - Individual 2665
1SS400 RSG TSC (Taiwan Semiconductor) Diodos - Rectificadores - Individual 0

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