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1SS306TE85LF
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1SS306TE85LF Especificaciones técnicas
DIODE ARRAY GP 200V 100MA SC61B
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Matrices |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Supplier Device Package | SC-61B |
Reverse Recovery Time (trr) | 60ns |
Package / Case | SC-61AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Diode Configuration | 2 Independent |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | 125°C (Max) |
Diode Type | Standard |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 200V |
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Otros incluyen "1SS30" partes
Las siguientes partes incluyen '1SS30'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
1SS300 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 166493 |
1SS300 ,LF(B | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 48458 |
1SS300(T5L.H) | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 166 |
1SS300(T5L.H). | ROHM | CIs Calientes Especializados | 2516 |
1SS300(T5L.H). MOS | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 501 |
1SS300(T5LFT) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 9500 |
1SS300(TE85L ,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 2950 |
1SS300(TE85L) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2900 |
1SS300(TE85R ,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 48000 |
1SS300(TE85R,F) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 54000 |
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