1SS190TE85LF Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 100mA
Supplier Device Package SC-59-3
Reverse Recovery Time (trr) 4ns
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 500nA @ 80V
Capacitance @ Vr, F 4pF @ 0V, 1MHz
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 80V
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature - Junction 125°C (Max)
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
1SS190 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 44142
1SS193 Original CIs Calientes Especializados 266
1SS193 (T5L ,F ,T) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 30911
1SS193 ,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1474
1SS193 T5RTST Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 6000
1SS193 TE85L TOSHIBA CIs Calientes Especializados 12500
1SS193 TE85L ,F Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 3473
1SS193 TE85L,F TOSHIBA CIs Calientes Especializados 12500
1SS193(T5L TOSHIBA CIs Calientes Especializados 11428
1SS193(T5L,F,T) TOS CIs Calientes Especializados 6500

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