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THGBMHG8C4LBAWR
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THGBMHG8C4LBAWR Especificaciones técnicas
IC FLASH 256G MMC 153WFBGA
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Toshiba Memory America, Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | - |
Technology | FLASH - NAND |
Series | e•MMC™ |
Package / Case | 153-WFBGA |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | MMC |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Clock Frequency | 52MHz |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Supplier Device Package | 153-WFBGA (11.5x13) |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 256Gb (32G x 8) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NAND Memory IC 256Gb (32G x 8) MMC 52MHz 153-WFBGA (11.5x13) |
THGBMHG8C4LBAWR Documentos
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Otros incluyen "THGBM" partes
Las siguientes partes incluyen 'THGBM'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
THGBM1G4D1EBAI | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2700 |
THGBM1G4D1EBAI7 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 846 |
THGBM1G5D2EBA17 | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 3 |
THGBM1G5D2EBAI7 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 764 |
THGBM1G6D2FBAI1 | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 7 |
THGBM1G6D4EBAI4 | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 349 |
THGBM1G7D4FBAI3 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 298 |
THGBM1G8D8EBAI2 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2688 |
THGBM1G8D8FBAI2 | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 15 |
THGBM2G6D2FBAI9 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2139 |
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