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TH58NVG4S0HTAK0
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TH58NVG4S0HTAK0 Especificaciones técnicas
IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Toshiba Memory America, Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 25ns |
Technology | FLASH - NAND (SLC) |
Packaging | Tray |
Other Names | TH58NVG4S0HTAK0B4H TH58NVG4S0HTAK0YCJ |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Access Time | 25ns |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Supplier Device Package | 48-TSOP I |
Package / Case | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 16Gb (2G x 8) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 16Gb (2G x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "TH58N" partes
Las siguientes partes incluyen 'TH58N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TH58NVG1S3AFT05 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2510 |
TH58NVG2S3BTG00 | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 49 |
TH58NVG2S3BTG00-DAH | TOS | CIs Calientes Especializados | 313 |
TH58NVG2S3ETA | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 371 |
TH58NVG2S3HBAI4 | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 901 |
TH58NVG2S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | Memoria | 24154 |
TH58NVG2S3HTA00 | Toshiba Memory America, Inc. | Memoria | 3267 |
TH58NVG2S3HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | Memoria | 1297 |
TH58NVG2S3HTAI0 | Toshiba Memory America, Inc. | Memoria | 3030 |
TH58NVG3S0HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | Memoria | 2914 |
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