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TH58BVG2S3HTA00
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TH58BVG2S3HTA00 Especificaciones técnicas
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Toshiba Memory America, Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 25ns |
Technology | FLASH - NAND (SLC) |
Series | Benand™ |
Package / Case | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 4Gb (512M x 8) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Supplier Device Package | 48-TSOP I |
Packaging | Tray |
Other Names | TH58BVG2S3HTA00B4H TH58BVG2S3HTA00YCJ TH58BVG2S3HTA00YCL |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Access Time | 25ns |
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Las siguientes partes incluyen 'TH58B'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TH58BVG2S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | Memoria | 2673 |
TH58BVG2S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | Memoria | 549 |
TH58BVG2S3HTAI0 | Toshiba Memory America, Inc. | Memoria | 2973 |
TH58BVG2S3HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | Memoria | 5382 |
TH58BVG2S3HTAI0B4H | TOSHIBA-KI OXIA | CIs Calientes Especializados | 1331 |
TH58BVG2S3HTAI0B4M | TOSHIBA-KI OXIA | CIs Calientes Especializados | 4575 |
TH58BVG3S0FTA00 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 349 |
TH58BVG3S0HBAI6 | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 3408 |
TH58BVG3S0HBAI6 IC | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 3457 |
TH58BVG3S0HTA00 | Toshiba Memory America, Inc. | Memoria | 2539 |
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