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TC58BVG1S3HTAI0
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TC58BVG1S3HTAI0 Especificaciones técnicas
IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Toshiba Memory America, Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 25ns |
Technology | FLASH - NAND (SLC) |
Series | Benand™ |
Package / Case | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Memory Size | 2Gb (256M x 8) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Supplier Device Package | 48-TSOP I |
Packaging | Tray |
Other Names | TC58BVG1S3HTAI0B4H TC58BVG1S3HTAI0YCJ |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | Parallel |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Access Time | 25ns |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'TC58B'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TC58BVG0S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | Memoria | 407 |
TC58BVG0S3HBAI4 | Toshiba Semiconductor and Storage | Memoria | 6636 |
TC58BVG0S3HBAI4JDH | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2576 |
TC58BVG0S3HBAI6 | Toshiba Semiconductor and Storage | Memoria | 1113 |
TC58BVG0S3HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. | Memoria | 10367 |
TC58BVG0S3HTA0 | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 619 |
TC58BVG0S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | Memoria | 91467 |
TC58BVG0S3HTA00 | Toshiba Memory America, Inc. | Memoria | 2991 |
TC58BVG0S3HTA00 IC | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 747 |
TC58BVG0S3HTAI0 | Toshiba Memory America, Inc. | Memoria | 3039 |
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