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TC58BVG1S3HBAI4 Especificaciones técnicas

2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer Toshiba Memory America, Inc.
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 25ns
Technology FLASH - NAND (SLC)
Series Benand™
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface -
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
Supplier Device Package 63-TFBGA (9x11)
Package / Case 63-VFBGA
Mounting Type Surface Mount
Memory Size 2Gb (256M x 8)
Memory Format FLASH
Detailed Description FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) 63-TFBGA (9x11)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TC58BVG0S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. Memoria 407
TC58BVG0S3HBAI4 Toshiba Semiconductor and Storage Memoria 6636
TC58BVG0S3HBAI4JDH TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2576
TC58BVG0S3HBAI6 Toshiba Semiconductor and Storage Memoria 1113
TC58BVG0S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. Memoria 10367
TC58BVG0S3HTA0 Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 619
TC58BVG0S3HTA00 Toshiba Semiconductor and Storage Memoria 91467
TC58BVG0S3HTA00 Toshiba Memory America, Inc. Memoria 2991
TC58BVG0S3HTA00 IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 747
TC58BVG0S3HTAI0 Toshiba Memory America, Inc. Memoria 3039

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