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TSM950N10CW RPG Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer TSC (Taiwan Semiconductor)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names TSM950N10CW RPGCT TSM950N10CW RPGCT-ND TSM950N10CWRPGCT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 28 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1480pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 6.5A (Tc) 9W (Tc) Surface Mount SOT-223
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-223
Power Dissipation (Max) 9W (Tc)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
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