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TSM1NB60CH C5G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer TSC (Taiwan Semiconductor)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Other Names TSM1NB60CH C5G-ND TSM1NB60CHC5G
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 52 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 138pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 1A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-251 (IPAK)
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TSM1N45CT HAMOS CIs Calientes Especializados 30386
TSM1N45CT A3 T CIs Calientes Especializados 17968
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TSM1N45CT B0 T CIs Calientes Especializados 19234
TSM1N45CT B0G TSC (Taiwan Semiconductor) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
TSM1N45CW TS CIs Calientes Especializados 30251
TSM1N45CW RPG TSC (Taiwan Semiconductor) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 15597
TSM1N45DCS TSC CIs Calientes Especializados 3255
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