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TSM061NA03CV RGG
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TSM061NA03CV RGG Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1 mOhm @ 16A, 10V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | TSM061NA03CV RGGCT TSM061NA03CV RGGCT-ND TSM061NA03CVRGGCT |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 30 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1136pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 30V 66A (Tc) 44.6W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 8-PDFN (3x3) |
Power Dissipation (Max) | 44.6W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerWDFN |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.3nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 66A (Tc) |
TSM061NA03CV RGG Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "TSM06" partes
Las siguientes partes incluyen 'TSM06'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TSM060N03CP ROG | TSC (Taiwan Semiconductor) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2731 |
TSM060N03ECP ROG | TSC (Taiwan Semiconductor) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2558 |
TSM060N03PQ33 RGG | TSC (Taiwan Semiconductor) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 512 |
TSM061NA03CR RLG | TSC (Taiwan Semiconductor) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2518 |
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