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ES1DV R3G
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ES1DV R3G Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1A |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Reverse Recovery Time (trr) | 15ns |
Package / Case | DO-214AC, SMA |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | ES1DV R3G-ND ES1DVR3G |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 10 Weeks |
Diode Type | Standard |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacitance @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz |
ES1DV R3G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para ES1DV R3G
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Hojas de datos
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Otros incluyen "ES1DV" partes
Las siguientes partes incluyen 'ES1DV'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
ES1DV M2G | TSC (Taiwan Semiconductor) | Diodos - Rectificadores - Individual | 2696 |
ES1DV R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | ES1DV R3G | |
ES1DVHM2G | TSC (Taiwan Semiconductor) | Diodos - Rectificadores - Individual | 2661 |
ES1DVHR3G | TSC (Taiwan Semiconductor) | Diodos - Rectificadores - Individual | 2667 |
ES1DVR | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Calientes Especializados | 681 |
ES1DVRX | Nexperia | Diodos - Rectificadores - Individual | 2553 |
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