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BZT55C4V3 L1G Especificaciones técnicas
DIODE ZENER 4.3V 500MW MINI MELF
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Zener - Individual |
Manufacturer | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 4.3V |
Tolerance | ±5% |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Operating Temperature | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Zener Diode 4.3V 500mW ±5% Surface Mount Mini MELF |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10mA |
Supplier Device Package | Mini MELF |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | BZT55C4V3 L1G-ND BZT55C4V3L1G |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 16 Weeks |
Impedance (Max) (Zzt) | 75 Ohms |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 1V |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BZT55A10-GS08 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Zener - Individual | 2521 |
BZT55A10-GS08 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Zener - Individual | 2772 |
BZT55A10-GS18 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Zener - Individual | 2555 |
BZT55A10-GS18 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Zener - Individual | 2568 |
BZT55A11-GS08 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Zener - Individual | 2636 |
BZT55A11-GS08 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Zener - Individual | 2754 |
BZT55A11-GS18 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Zener - Individual | 2562 |
BZT55A11-GS18 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Zener - Individual | 2604 |
BZT55A12-GS08 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Zener - Individual | 0 |
BZT55A12-GS08 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Zener - Individual | 2570 |
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