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GSID200A170S3B1 Especificaciones técnicas

IGBT MODULE 1200V 400A 1630W D3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer SemiQ
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Package / Case D-3 Module
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Power - Max 1630W
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 400A
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Supplier Device Package D3
Series Amp+™
Configuration 2 Independent
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A
Input Capacitance (Cies) @ Vce 26nF @ 25V
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Las siguientes partes incluyen  'GSID2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
GSID200A120S3B1 Global Power Technologies Group Transistores - IGBTs - Módulos 0
GSID200A120S3B1 SemiQ Módulos IGBT
GSID200A120S5C1 Global Power Technologies Group Transistores - IGBTs - Módulos 5465
GSID200A120S5C1 SemiQ Módulos IGBT
GSID200A120S5C1 Global Power Módulos IGBT
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GSID200A170S3B1 fabricantes de marca: SemiQ, Bonchip existencias, GSID200A170S3B1 precio de referencia. GSID200A170S3B1 parámetros, GSID200A170S3B1 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el GSID200A170S3B1 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar GSID200A170S3B1 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, GSID200A170S3B1 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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