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GPA025A120MN-ND
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GPA025A120MN-ND Especificaciones técnicas
IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / IGBTs individuales |
Manufacturer | SemiQ |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-3PN |
Packaging | Tube |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Power - Max | 312W |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
IGBT Type | NPT and Trench |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 75A |
Switching Energy | 4.15mJ (on), 870μJ (off) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Part Status | Active |
Input Type | Standard |
Reverse Recovery Time | 480ns |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 25A |
Gate Charge | 350nC |
Td (on/off) @ 25°C | 57ns/240ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
GPA025A120MN-ND Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para GPA025A120MN-ND
-
Hojas de datos
Otros incluyen "GPA02" partes
Las siguientes partes incluyen 'GPA02'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
GPA020A120MN-FD | Global Power Technologies Group | Transistores - IGBTs - Individual | 2084 |
GPA020A120MN-FD | SemiQ | IGBTs individuales | |
GPA020A120MN-FD | Global Power | IGBTs individuales | |
GPA020A135MN-FD | Global Power Technologies Group | Transistores - IGBTs - Individual | 2681 |
GPA020A135MN-FD | SemiQ | IGBTs individuales | |
GPA020A135MN-FD | Global Power | IGBTs individuales | |
GPA025A120MN-ND | Global Power Technologies Group | Transistores - IGBTs - Individual | 2500 |
GPA025A120MN-ND | Global Power | IGBTs individuales |
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