STW60NE10 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 60A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series STripFET™
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 185nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STW60N10 ST CIs Calientes Especializados 5621
STW60N65M5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5816
STW60NB100 ST CIs Calientes Especializados 528
STW60NM50N STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
STW60NM60Z ST CIs Calientes Especializados 32363

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