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STW56N65DM2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 48A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ DM2
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package TO-247
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 24A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 48A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STW5630/JDR18BDR Seoul Semiconductor Iluminación LED - COBs, Motores, Módulos 2799
STW56N60DM2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 338
STW56N60M2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 540
STW56N60M2 94N65 MOS ST CIs Calientes Especializados 1268
STW56N60M2-4 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2655
STW56N65M2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 495
STW56N65M2-4 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3600
STW56NM60N STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2768
STW56NM60ND 94N65 ST CIs Calientes Especializados 1221

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