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STW23NM50N Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 17A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 8.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1330pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'STW23' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STW23N80K5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 673
STW23N85K5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 363
STW23NM50N MOS ST CIs Calientes Especializados 53377
STW23NM60 ST CIs Calientes Especializados 709
STW23NM60N STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10564
STW23NM60ND STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1581

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