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STW12NM60N Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 10A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 410 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.5nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
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Otros incluyen   "STW12"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STW12' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STW12-20WV-ET JAM CIs Calientes Especializados 1117
STW120NF10 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1086
STW120NF10 MOS ST CIs Calientes Especializados 1353
STW12N120K5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4278
STW12N120K5 12N120K5 ST CIs Calientes Especializados 602
STW12N150K5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2301
STW12NA50 ST CIs Calientes Especializados 13545
STW12NA60 ST CIs Calientes Especializados 10000
STW12NB60 ST CIs Calientes Especializados 796
STW12NC60 ST CIs Calientes Especializados 13600

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