STU6N60M2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V IPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II Plus
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package I-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 232pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STU6N62K3 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10395
STU6N65K3 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18722
STU6N65K3 MOS ST CIs Calientes Especializados 12447
STU6N65M2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5428
STU6N90K5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2743
STU6N95K5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 310
STU6NF10 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12901

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