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STU1HN60K3
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STU1HN60K3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | SuperMESH3™ |
Power Dissipation (Max) | 27W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | I-Pak |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 600mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
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