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STU13NM60N Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 11A IPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package IPAK (TO-251)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STU13005N STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 4529
STU13N60M2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 496
STU13N65M2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 567
STU13NB60 ST CIs Calientes Especializados 2539

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