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STU11N65M2
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STU11N65M2 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | MDmesh™ II Plus |
Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±25V |
Supplier Device Package | IPAK (TO-251) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670 mOhm @ 3.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
STU11NC60 | ST/ | CIs Calientes Especializados | 932 |
STU11NM60ND | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2614 |
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