STT3P2UH7 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series STripFET™
Power Dissipation (Max) 1.6W (Tc)
Package / Case SOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.8nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SOT-23-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STT3PF20L ST CIs Calientes Especializados 2661
STT3PF20V STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5434
STT3PF20V MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 18925
STT3PF20V$Y ST CIs Calientes Especializados 1862
STT3PF20VY2 ST CIs Calientes Especializados 330
STT3PF30L STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6361

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