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STSJ100NHS3LL Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package 8-SOIC-EP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series STripFET™ III
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 70W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STSJ100NH3LL STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1613
STSJ100NHS3LL MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 16185

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