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STS3DNE60L Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Series STripFET™
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 1.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 815pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Otros incluyen   "STS3D"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STS3D' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STS3DNE60L MOS ST CIs Calientes Especializados 333
STS3DNF30L STM CIs Calientes Especializados 42783
STS3DPF20V VBsemi CIs Calientes Especializados 10463
STS3DPF20V MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5759
STS3DPF20V. SR CIs Calientes Especializados 2578
STS3DPF30L ST CIs Calientes Especializados 17833
STS3DPF60L STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 10305
STS3DPFS30 STM CIs Calientes Especializados 33993
STS3DPFS30 IC ST CIs Calientes Especializados 893
STS3DPFS30D ST CIs Calientes Especializados 87976

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