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STS19N3LLH6
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STS19N3LLH6 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 9.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1690pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | DeepGATE™, STripFET™ VI |
Power Dissipation (Max) | 2.7W (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 15V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
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