STP9NK60Z Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 7A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperMESH™
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 3.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1110pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STP9N50ZFP ST CIs Calientes Especializados 48
STP9N60M2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1349
STP9N60M2 MOS ST CIs Calientes Especializados 354
STP9N65M2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1325
STP9N65ZFP ST CIs Calientes Especializados 347
STP9N70 ST CIs Calientes Especializados 381
STP9N80K5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2950
STP9NB50 ST CIs Calientes Especializados 9979
STP9NB50FP ST CIs Calientes Especializados 10527
STP9NB50FP MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5508

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