STP8NS25 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 250V 8A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MESH OVERLAY™
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51.8nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STP8N120K5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7974
STP8N65M5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1250
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