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STP35N60DM2
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STP35N60DM2 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 28A
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | MDmesh™ DM2 |
Power Dissipation (Max) | 210W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±25V |
Supplier Device Package | TO-220 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 14A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
STP35N60DM2 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para STP35N60DM2
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Hojas de datos
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Otros incluyen "STP35" partes
Las siguientes partes incluyen 'STP35'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
STP35N60M2-EP | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2780 |
STP35N60M2-ER | ST | CIs Calientes Especializados | 4008 |
STP35N65DM2 | ST | CIs Calientes Especializados | 2616 |
STP35N65M5 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 22812 |
STP35NF10 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5270 |
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