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STP310N10F7 Especificaciones técnicas

MOSFET N CH 100V 180A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DeepGATE™, STripFET™ VII
Power Dissipation (Max) 315W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 60A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STP315N10F7 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5968
STP31N65M5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5493

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