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STP26NM60ND Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 21A TO220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 10.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1817pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series FDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54.6nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STP260N4F7 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2710
STP260N6F6 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 486
STP260N6F6 MOS ST CIs Calientes Especializados 4901
STP2640LF SYMM CIs Calientes Especializados 830
STP265N6F6AG STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2612
STP26N60M2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1290
STP26NM60N STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5430
STP26NM60N MOSFETIGBTIC ST CIs Calientes Especializados 23479

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