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STP25N60M2-EP Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ M2
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 188 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1090pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STP2545CGY NA CIs Calientes Especializados 427
STP2564LF-25MHZ RAKON CIs Calientes Especializados 2515
STP25N06 STMAL CIs Calientes Especializados 472
STP25N10F7 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 264014
STP25N10F7 MOS ST CIs Calientes Especializados 263999
STP25N80K5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 616
STP25NM50N STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1398
STP25NM60N STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1305
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