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STP22NM60N Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 16A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Tc)
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Otros incluyen   "STP22"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STP22 SAMSUNG CIs Calientes Especializados 2612
STP2200ABGA SUN CIs Calientes Especializados 2685
STP2202ABGA SUN CIs Calientes Especializados 5
STP220N6F7 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1373
STP2210QFP SUN CIs Calientes Especializados 719
STP2210QFP100-3998-01 SUN CIs Calientes Especializados 1215
STP2223BGA SUN CIs Calientes Especializados 695
STP2223BGA/1298B5 SUN CIs Calientes Especializados 2633
STP2223BGA100-4611-04 SUN CIs Calientes Especializados 1205
STP2223BGA100-4611-05 SUN CIs Calientes Especializados 98

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