STP21NM60ND Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 17A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series FDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 8.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STP210N15F6 ST CIs Calientes Especializados 347
STP210N75F6 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 415
STP210NF02 ST CIs Calientes Especializados 4001
STP21N05L ST CIs Calientes Especializados 38000
STP21N05LFI ST CIs Calientes Especializados 50000
STP21N05LFP ST CIs Calientes Especializados 46800
STP21N06L ST CIs Calientes Especializados 46500
STP21N06LFI ST CIs Calientes Especializados 50000
STP21N06LFP ST CIs Calientes Especializados 47500
STP21N65M5 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10412

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