STP130N6F7 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series STripFET™ F7
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STP1305 STANSON CIs Calientes Especializados 6027
STP130N10 ST CIs Calientes Especializados 2607
STP130N10F3 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9389
STP130N10F3 MOS ST CIs Calientes Especializados 1482
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STP130NH02L STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2281
STP130NS04ZB VB CIs Calientes Especializados 2613
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