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STP120N4F6 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DeepGATE™, STripFET™ VI
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3850pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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Otros incluyen   "STP12"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STP12' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STP120N10F4 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2747
STP120NF04 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23278
STP120NF10 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1443
STP120NF10(P120NF10) ST CIs Calientes Especializados 2675
STP120NF10R ST CIs Calientes Especializados 2534
STP120NH03L STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12781
STP12IE90F4 STMicroelectronics Transistores - Propósito Especial 2695
STP12IE95F4 ST CIs Calientes Especializados 5
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