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STP10NM60ND Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 8A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series FDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 70W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 577pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
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Otros incluyen   "STP10"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STP10' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STP100N10F5R ST CIs Calientes Especializados 269
STP100N10F7 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3530
STP100N6F7 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 30284
STP100N8F6 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1261
STP100NF03L-03 ST CIs Calientes Especializados 366
STP100NF03L-03 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5333
STP100NF04 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 634
STP100NF04 MOS ST CIs Calientes Especializados 2315
STP100NF04L ST CIs Calientes Especializados 2008
STP1013 STANSON CIs Calientes Especializados 3298

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