STP10N62K3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1250pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 620V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperMESH3™
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.4A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STP100N10F5R ST CIs Calientes Especializados 269
STP100N10F7 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3530
STP100N6F7 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 30284
STP100N8F6 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1261
STP100NF03L-03 ST CIs Calientes Especializados 366
STP100NF03L-03 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5333
STP100NF04 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 634
STP100NF04 MOS ST CIs Calientes Especializados 2315
STP100NF04L ST CIs Calientes Especializados 2008
STP1013 STANSON CIs Calientes Especializados 3298

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