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STN1HNK60 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperMESH™
Power Dissipation (Max) 3.3W (Tc)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package SOT-223
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 156pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STN1HNC60 ST CIs Calientes Especializados 740
STN1HNK60 MOS ST CIs Calientes Especializados 4460

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