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STL33N60M2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 21.5A PWRFLAT88

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ II Plus
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package PowerFlat™ (8x8) HV
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135 mOhm @ 10.75A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STL33N60DM2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2682
STL33N65M2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2643

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