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STL10N60M2
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STL10N60M2 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | MDmesh™ II Plus |
Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±25V |
Supplier Device Package | PowerFlat™ (5x6) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 660 mOhm @ 2.5A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "STL10" partes
Las siguientes partes incluyen 'STL10'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
STL10 | SAMSUNG | CIs Calientes Especializados | 560 |
STL100N10F7 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 90482 |
STL100N12F7 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2696 |
STL100N1VH5 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 15662 |
STL100N6LF6 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3333 |
STL100N8F7 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1455 |
STL100NH3LL | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2313 |
STL100NH3LL MOS | ST | CIs Calientes Especializados | 582632 |
STL100NHS3LL | ST | CIs Calientes Especializados | 29412 |
STL105DN4LF7AG | ST | CIs Calientes Especializados | 1441 |
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