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STH130N10F3-2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package H²PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3 mOhm @ 60A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3305pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series STripFET™ III
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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Otros incluyen   "STH13"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STH13' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STH13009 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2769
STH130N8F7-2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2577
STH13NB60F1 ST CIs Calientes Especializados 10
STH13NB60FI ST CIs Calientes Especializados 487

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