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STH110N8F7-2 Especificaciones técnicas

MOSFET

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series STripFET™ F7
Power Dissipation (Max) 170W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 38 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package H2Pak-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6 mOhm @ 55A, 10V
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 80V 110A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
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Las siguientes partes incluyen  'STH11' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STH110N10F7-2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 26788
STH110N10F7-6 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1309
STH110N10F7-6 MOS ST CIs Calientes Especializados 1481
STH110N7F6-2 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2751

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