STGW80V60DF Especificaciones técnicas

IGBT 600V 120A 469W TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 80A, 5 Ohm, 15V
Switching Energy 1.8mJ (on), 1mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 60ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 448nC
Current - Collector (Ic) (Max) 120A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 80A
Td (on/off) @ 25°C 60ns/220ns
Supplier Device Package TO-247
Power - Max 469W
Package / Case TO-247-3 Exposed Pad
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 240A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STGW80H65DFB STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2222
STGW80H65DFB-4 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 687
STGW80H65FB STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2686
STGW80H65FB-4 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2651
STGW80V60F STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2679
STGW8M120DF3 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2543

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