STGW40H65DFB-4 Especificaciones técnicas

IGBT

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Switching Energy 200µJ (on), 410µJ (off)
Series HB
Power - Max 283W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 42 Weeks
IGBT Type Trench Field Stop
Detailed Description IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-247-4L
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A
Td (on/off) @ 25°C 40ns/142ns
Supplier Device Package TO-247-4L
Reverse Recovery Time (trr) 62ns
Package / Case TO-247-4
Mounting Type Through Hole
Input Type Standard
Gate Charge 210nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STGW40H120DF2 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 467
STGW40H120F2 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 1069
STGW40H60DLFB STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2693
STGW40H65DFB STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 1254
STGW40H65DFB IC ST CIs Calientes Especializados 617
STGW40H65FB STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 6947
STGW40M120DF3 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2560
STGW40N120KD STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2213
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