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STGW30M65DF2
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STGW30M65DF2 Especificaciones técnicas
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Test Condition | 400V, 30A, 10 Ohm, 15V |
Switching Energy | 300µJ (on), 960µJ (off) |
Reverse Recovery Time (trr) | 140ns |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 80nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
Td (on/off) @ 25°C | 31.6ns/115ns |
Supplier Device Package | TO-247 |
Power - Max | 258W |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "STGW3" partes
Las siguientes partes incluyen 'STGW3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
STGW30H60DF | STMicroelectronics | Transistores - IGBTs - Individual | 2517 |
STGW30H60DFB | STMicroelectronics | Transistores - IGBTs - Individual | 391 |
STGW30H60DLFB | STMicroelectronics | Transistores - IGBTs - Individual | 852 |
STGW30H65FB | STMicroelectronics | Transistores - IGBTs - Individual | 8375 |
STGW30N120KD | STMicroelectronics | Transistores - IGBTs - Individual | 2636 |
STGW30N90D | STMicroelectronics | Transistores - IGBTs - Individual | 543 |
STGW30NB60HD | ST | CIs Calientes Especializados | 98 |
STGW30NC120HD | STMicroelectronics | Transistores - IGBTs - Individual | 1425 |
STGW30NC60DV | ST | CIs Calientes Especializados | 3957 |
STGW30NC60KD | STMicroelectronics | Transistores - IGBTs - Individual | 462 |
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