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STGW25S120DF3 Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 25A TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 25A, 15 Ohm, 15V
Switching Energy 830µJ (on), 2.37mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 265ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 80nC
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Td (on/off) @ 25°C 31ns/147ns
Supplier Device Package TO-247-3
Power - Max 375W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 100A
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STGW25S120DF3 Documentos

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Otros incluyen   "STGW2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STGW2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STGW20H60DF STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 444
STGW20H60DF GW20H60DF ST CIs Calientes Especializados 551
STGW20H65FB STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2014
STGW20IH125DF STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2621
STGW20N60D MGW20N60D ST CIs Calientes Especializados 7441
STGW20N60DF ST CIs Calientes Especializados 7441
STGW20NB60H ST CIs Calientes Especializados 4543
STGW20NB60HD ST CIs Calientes Especializados 14148
STGW20NB60KD STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2792
STGW20NC60V STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 429

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