STGP30H60DFB Especificaciones técnicas

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 383µJ (on), 293µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 53ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 149nC
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C 37ns/146ns
Supplier Device Package TO-220
Power - Max 260W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
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STGP30H60DFB Documentos

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Otros incluyen   "STGP3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STGP3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STGP30H60DF STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 300
STGP30H65F STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2554
STGP30M65DF2 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 383
STGP30NC60K STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2790
STGP30NC60S STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 17985
STGP30NC60W STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2651
STGP30V60DF STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 1353
STGP30V60F STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 4459
STGP35HF60W STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 557
STGP35N35LZ STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2518

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