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STGD7NB120S-1 Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 10A 55W IPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 7A, 1 kOhm, 15V
Switching Energy 15mJ (off)
Series PowerMESH™
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 29nC
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 7A
Td (on/off) @ 25°C 570ns/-
Supplier Device Package I-Pak
Power - Max 55W
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 20A
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Otros incluyen   "STGD7"   partes

Las siguientes partes incluyen  'STGD7' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
STGD7NB120ST4 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 2606
STGD7NB60H ST CIs Calientes Especializados 3100
STGD7NB60K ST CIs Calientes Especializados 4099
STGD7NB60KT4 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 20445
STGD7NB60S ST CIs Calientes Especializados 1012
STGD7NB60SD IR CIs Calientes Especializados 2727
STGD7NB60ST4 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 7871
STGD7NC60H GD7NC60H ST CIs Calientes Especializados 1236
STGD7NC60HT4 STMicroelectronics Transistores - IGBTs - Individual 18945
STGD7NC60HT4 MOS ST CIs Calientes Especializados 719

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